AOT7S60L - MOSFET N-CH 600V TO220

Référence fabricant

AOT7S60L

Numéro de pièce interne

ABC-AOT7S60L

Fabricant

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Brève description

MOSFET N-CH 600V TO220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour AOT7S60L

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : AOT7S60L

Fabricant : Alpha & Omega Semiconductor Inc.

La description : MOSFET N-CH 600V TO220

Séries : aMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 8.2nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 372pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 104W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : AO , AOT7

Documents pour AOT7S60L

Feuilles de données : AOT7S60L.pdf

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