BSM300D12P2E001 - MOSFET 2N-CH 1200V 300A

Référence fabricant

BSM300D12P2E001

Numéro de pièce interne

ABC-BSM300D12P2E001

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

MOSFET 2N-CH 1200V 300A

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour BSM300D12P2E001

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BSM300D12P2E001

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : MOSFET 2N-CH 1200V 300A

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Caractéristique FET : Silicon Carbide (SiC)

Drain à la tension source (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 300A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 68mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 35000pF @ 10V

Puissance - Max : 1875W

Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Chassis Mount

Paquet / caisse : Module

Package d'appareils du fournisseur : Module

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BSM30 , BSM300D

Documents pour BSM300D12P2E001

Feuilles de données : BSM300D12P2E001.pdf

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