IRLZ34NS - MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK

Référence fabricant

IRLZ34NS

Numéro de pièce interne

ABC-IRLZ34NS

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

101280 Pieces

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Spécifications pour IRLZ34NS

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRLZ34NS

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 55V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 30A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 5V

Vgs (Max) : ±16V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 880pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.8W (Ta), 68W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D2PAK

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IR , IRLZ

Documents pour IRLZ34NS

Feuilles de données : IRLZ34NS.pdf

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