SIA417DJ-T1-GE3 - MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

Référence fabricant

SIA417DJ-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SIA417DJ-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

42942 Pieces

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Spécifications pour SIA417DJ-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SIA417DJ-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 8V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 12A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 5V

Vgs (Max) : ±5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1600pF @ 4V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SC-70-6 Single

Paquet / caisse : PowerPAK® SC-70-6

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SIA41 , SIA417D

Documents pour SIA417DJ-T1-GE3

Feuilles de données : SIA417DJ-T1-GE3.pdf

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