IRFH7110TR2PBF - MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6

Référence fabricant

IRFH7110TR2PBF

Numéro de pièce interne

ABC-IRFH7110TR2PBF

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour IRFH7110TR2PBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IRFH7110TR2PBF

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11A (Ta), 58A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 87nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3240pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.6W (Ta), 104W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-PQFN (5x6)

Paquet / caisse : 8-TQFN Exposed Pad

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IRFH , IRFH711

Documents pour IRFH7110TR2PBF

Feuilles de données : IRFH7110TR2PBF.pdf

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