DGD0506AFN-7 - IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10

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IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10
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Spécifications pour DGD0506AFN-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DGD0506AFN-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Configuration pilotée : Half-Bridge
Type de canal : Synchronous
Nombre de conducteurs : 2
Type de porte : N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation : 8V ~ 14V
Tension logique - VIL, VIH : 0.8V, 2.4V
Courant - sortie de crête (source, puits) : 1.5A, 2A
Type d'entrée : Non-Inverting
Haute tension latérale - Max (Bootstrap) : 50V
Temps de montée / descente (type) : 17ns, 12ns
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 10-WFDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : W-DFN3030-10
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DGD0 , DGD050

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Feuilles de données : DGD0506AFN-7.pdf

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