FQD11P06TM - MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

Référence fabricant

FQD11P06TM

Numéro de pièce interne

ABC-FQD11P06TM

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FQD11P06TM

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FQD11P06TM

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

Séries : QFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.4A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 185 mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta), 38W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D-Pak

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FQD , FQD11

Documents pour FQD11P06TM

Feuilles de données : FQD11P06TM.pdf

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