PMZB350UPE,315 - MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN

Référence fabricant

PMZB350UPE,315

Numéro de pièce interne

ABC-PMZB350UPE,315

Fabricant

Nexperia USA Inc.

Brève description

MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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5740525 Pieces

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Spécifications pour PMZB350UPE,315

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : PMZB350UPE,315

Fabricant : Nexperia USA Inc.

La description : MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 300mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.9nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 127pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 360mW (Ta), 3.125W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : DFN1006B-3

Paquet / caisse : 3-XFDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : PMZB , PMZB350

Documents pour PMZB350UPE,315

Feuilles de données : PMZB350UPE,315.pdf

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