STB31N65M5 - MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Référence fabricant

STB31N65M5

Numéro de pièce interne

ABC-STB31N65M5

Fabricant

STMicroelectronics

Brève description

MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

264621 Pieces

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Spécifications pour STB31N65M5

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : STB31N65M5

Fabricant : STMicroelectronics

La description : MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Séries : MDmesh™ V

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 650V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 22A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 148 mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1865pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 150W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D2PAK

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : STB , STB31

Documents pour STB31N65M5

Feuilles de données : STB31N65M5.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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