DBD10G-E - BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A

Référence fabricant

DBD10G-E

Numéro de pièce interne

ABC-DBD10G-E

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour DBD10G-E

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : DBD10G-E

Fabricant : ON Semiconductor

La description : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de diode : Single Phase

La technologie : Standard

Tension - Inverse de crête (Max) : 600V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.05V @ 500mA

Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 600V

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Paquet / caisse : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

Package d'appareils du fournisseur : -

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : DB , DBD1

Documents pour DBD10G-E

Feuilles de données : DBD10G-E.pdf

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