STS10DN3LH5 - MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Référence fabricant

STS10DN3LH5

Numéro de pièce interne

ABC-STS10DN3LH5

Fabricant

STMicroelectronics

Brève description

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

1011787 Pieces

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Spécifications pour STS10DN3LH5

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : STS10DN3LH5

Fabricant : STMicroelectronics

La description : MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Séries : STripFET™ V

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.6nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 475pF @ 25V

Puissance - Max : 2.5W

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareils du fournisseur : 8-SO

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : STS , STS10

Documents pour STS10DN3LH5

Feuilles de données : STS10DN3LH5.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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