FDD6637 - MOSFET P-CH 35V 13A DPAK

Référence fabricant

FDD6637

Numéro de pièce interne

ABC-FDD6637

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET P-CH 35V 13A DPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour FDD6637

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDD6637

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET P-CH 35V 13A DPAK

Séries : PowerTrench®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 35V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 13A (Ta), 55A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.6 mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 63nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2370pF @ 20V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 3.1W (Ta), 57W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D-PAK (TO-252)

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FD , FDD

Documents pour FDD6637

Feuilles de données : FDD6637.pdf

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