AUIRF2804WL - MOSFET N-CH 40V 295A TO262WL

Référence fabricant

AUIRF2804WL

Numéro de pièce interne

ABC-AUIRF2804WL

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 40V 295A TO262WL

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

195720 Pieces

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Spécifications pour AUIRF2804WL

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : AUIRF2804WL

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 40V 295A TO262WL

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 40V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 240A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 187A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 225nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7978pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 300W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-262-3 Wide

Paquet / caisse : TO-262-3 Wide Leads

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : AUI , AUIRF

Documents pour AUIRF2804WL

Feuilles de données : AUIRF2804WL.pdf

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