FDG6303N_G - INTEGRATED CIRCUIT

Référence fabricant

FDG6303N_G

Numéro de pièce interne

ABC-FDG6303N_G

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

INTEGRATED CIRCUIT

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

53846 Pieces

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Spécifications pour FDG6303N_G

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDG6303N_G

Fabricant : ON Semiconductor

La description : INTEGRATED CIRCUIT

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Logic Level Gate

Drain à la tension source (Vdss) : 25V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2.3nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 10V

Puissance - Max : 300mW

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Package d'appareils du fournisseur : SC-88 (SC-70-6)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FDG , FDG63

Documents pour FDG6303N_G

Feuilles de données : FDG6303N_G.pdf

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