JAN1N5807US - DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Référence fabricant

JAN1N5807US

Numéro de pièce interne

ABC-JAN1N5807US

Fabricant

Microsemi Corporation

Brève description

DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

87939 Pieces

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Spécifications pour JAN1N5807US

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : JAN1N5807US

Fabricant : Microsemi Corporation

La description : DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Séries : Military, MIL-PRF-19500/477

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 50V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 6A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 875mV @ 4A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 30ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 50V

Capacité @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : SQ-MELF, B

Package d'appareils du fournisseur : B, SQ-MELF

Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 175°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : JAN , JAN1N

Documents pour JAN1N5807US

Feuilles de données : JAN1N5807US.pdf

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