SIZF300DT-T1-GE3 - MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3

Référence fabricant

SIZF300DT-T1-GE3

Numéro de pièce interne

ABC-SIZF300DT-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SIZF300DT-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SIZF300DT-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3

Séries : TrenchFET® Gen IV

Statut de la pièce : Active

Type de FET : 2 N-Channel (Dual)

Caractéristique FET : Standard

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 10A, 10V, 1.84 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V, 62nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V

Puissance - Max : 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 8-PowerWDFN

Package d'appareils du fournisseur : 8-PowerPair® (6x5)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SIZF3 , SIZF300D

Documents pour SIZF300DT-T1-GE3

Feuilles de données : SIZF300DT-T1-GE3.pdf

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