CTLDM8002A-M621H TR - MOSFET N-CH 50V DFN6

Référence fabricant

CTLDM8002A-M621H TR

Numéro de pièce interne

ABC-CTLDM8002A-M621H TR

Fabricant

Central Semiconductor Corp

Brève description

MOSFET N-CH 50V DFN6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour CTLDM8002A-M621H TR

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : CTLDM8002A-M621H TR

Fabricant : Central Semiconductor Corp

La description : MOSFET N-CH 50V DFN6

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 50V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 280mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.72nC @ 4.5V

Vgs (Max) : 20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 70pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.6W (Ta)

Température de fonctionnement : -65°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TLM621H

Paquet / caisse : 6-XFDFN Exposed Pad

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : CTLDM8 , CTLDM8002

Documents pour CTLDM8002A-M621H TR

Feuilles de données : CTLDM8002A-M621H TR.pdf

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