MT41K512M16TNA-125 M:E - IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Référence fabricant

MT41K512M16TNA-125 M:E

Numéro de pièce interne

ABC-MT41K512M16TNA-125 M:E

Fabricant

Micron Technology Inc.

Brève description

IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour MT41K512M16TNA-125 M:E

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : MT41K512M16TNA-125 M:E

Fabricant : Micron Technology Inc.

La description : IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de mémoire : Volatile

Format de mémoire : DRAM

La technologie : SDRAM - DDR3L

Taille mémoire : 8Gb (512M x 16)

Fréquence d'horloge : 800MHz

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -

Temps d'accès : 13.5ns

Interface mémoire : Parallel

Tension - Alimentation : 1.283V ~ 1.45V

Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C (TC)

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : 96-TFBGA

Package d'appareils du fournisseur : 96-FBGA (10x14)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : MT41K51 , MT41K512M16

Documents pour MT41K512M16TNA-125 M:E

Feuilles de données : MT41K512M16TNA-125 M:E.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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WI085215WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 1000PF 14KV SCREW.
PEF220WH10336BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 13KV R230 DISK.
BZ118078WV75036CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 75PF 30KV AXIAL.
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