STD4NK60Z-1 - MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Référence fabricant

STD4NK60Z-1

Numéro de pièce interne

ABC-STD4NK60Z-1

Fabricant

STMicroelectronics

Brève description

MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour STD4NK60Z-1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : STD4NK60Z-1

Fabricant : STMicroelectronics

La description : MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Séries : SuperMESH™

Statut de la pièce : Not For New Designs

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 510pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 70W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : I-PAK

Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : STD , STD4N

Documents pour STD4NK60Z-1

Feuilles de données : STD4NK60Z-1.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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