R8010ANX - MOSFET N-CH 800V 10A TO220

Référence fabricant

R8010ANX

Numéro de pièce interne

ABC-R8010ANX

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 800V 10A TO220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour R8010ANX

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : R8010ANX

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 800V 10A TO220

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 800V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 560 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1750pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 40W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220FM

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : R8 , R801

Documents pour R8010ANX

Feuilles de données : R8010ANX.pdf

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