SE20PAGHM3/I - DIODE GEN PURP 400V 1.6A DO220AA

Référence fabricant

SE20PAGHM3/I

Numéro de pièce interne

ABC-SE20PAGHM3/I

Fabricant

Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description

DIODE GEN PURP 400V 1.6A DO220AA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SE20PAGHM3/I

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SE20PAGHM3/I

Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division

La description : DIODE GEN PURP 400V 1.6A DO220AA

Séries : Automotive, AEC-Q101, eSMP®

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 400V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1.6A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.05V @ 2A

La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 1.2µs

Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 400V

Capacité @ Vr, F : 13pF @ 4V, 1MHz

Type de montage : Surface Mount

Paquet / caisse : DO-220AA

Package d'appareils du fournisseur : DO-220AA (SMP)

Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 175°C

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SE20 , SE20PA

Documents pour SE20PAGHM3/I

Feuilles de données : SE20PAGHM3/I.pdf

Produits associés pour SE20PAGHM3/I Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	Marque	La description
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